Novidade: Samsung Electronics anuncia a DRAM LPDDR5 de 8 Gb
Novidade: a Samsung Electronics, líder mundial em tecnologia de memória avançada, anunciou que desenvolveu com sucesso a primeira DRAM LPDDR5 de 8 Gb da classe de 10 nanômetros (nm) da indústria.
O que isso quer dizer?
De acordo com a Samsung com a nova tecnologia será possível transferir 14 arquivos de vídeo full-HD em 01 segundo!
Novidade: Samsung Electronics anuncia a DRAM LPDDR5 de 8 Gb
Desde 2014, após o primeiro o lançamento do LPDDR4 de 8 Gb para produção em massa, a Samsung vem preparando o cenário para a transição para o novo padrão LPDDR5 para uso em aplicativos móveis com 5G e Inteligência Artificial (AI).
O recém-desenvolvido 8Gb LPDDR5 é a mais recente adição à linha premium DRAM da Samsung, que inclui 10nm-class 16Gb GDDR6 DRAM (em volume de produção desde dezembro de 2017) e 16GB DDR5 DRAM (desenvolvido em fevereiro).
“A LPDDR5 representa um grande avanço para as soluções de memória móvel de baixo consumo”, disse Jinman Han, vice-presidente sênior de Planejamento de Produto de Memória e Engenharia de Aplicação da Samsung Electronics.
A 8 Gb LPDDR5 possui uma taxa de dados de até 6.400 megabits por segundo (Mb/s), o que é 1,5 vezes mais rápido que os chips DRAM (LPDDR4X, 4266Mb/s), mas o que isso quer dizer?
Com o aumento da taxa de transferência, o novo LPDDR5 pode enviar 51,2 gigabytes (GB) de dados, ou aproximadamente 14 arquivos de vídeo full-HD (3,7 GB cada), em apenas um segundo!
A 10nm-classe LPDDR5 DRAM será disponível em duas larguras de banda – 6,400Mb/s com uma tensão de funcionamento de 1,1 (V) e 5,500Mb/s e a 1.05V – tornando-se a solução de memória móvel mais versátil para smartphones de última geração e sistemas automotivos.
Esse avanço no desempenho tornou-se possível por meio de vários aprimoramentos de arquitetura. Ao dobrar o número de memória “bancos” – subdivisões dentro de uma célula DRAM – de oito para 16, a nova memória pode atingir uma velocidade muito maior, reduzindo o consumo de energia. A 8 Gb LPDDR5 também faz uso de uma arquitetura de circuito altamente avançada, otimizando velocidades que verifica e garante um desempenho ultra-alta velocidade do chip.
Para maximizar a poupança de energia, o LPDDR5 10nm-classe tem sido manipulada para diminuir a sua tensão de acordo com a velocidade de operação do processador de aplicação correspondente, quando no modo activo. Também tem sido configurado para evitar a substituição de células com ‘0’ valores. Além disso, o novo chip LPDDR5 vai oferecer um ‘modo de sono profundo’, que corta o uso de energia para cerca de metade do ‘modo de espera’ da corrente LPDDR4X DRAM. Graças a estas características de baixa potência, o 8Gb LPDDR5 DRAM vai entregar reduções de consumo de energia de até 30%, maximizando o desempenho do dispositivo móvel e aumentar a vida útil da bateria dos smartphones.
A Samsung, em conjunto com as principais empresas fornecedoras de telefonia, completou testes funcionais e validação de um protótipo pacote de 8GB LPDDR5 DRAM, que é composta de oito chips de 8 Gb LPDDR5. Aproveitando a infra-estrutura de fabricação de ponta em sua mais recente linha em Pyeongtaek, Coreia, Samsung planeja começar a produção em massa de seus lineups DRAM de próxima geração (LPDDR5, DDR5 e GDDR6) de acordo com as demandas dos clientes globais.
Fonte: Samsung
